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SK海力士年底前量產DDR5,支持的平臺卻要到2021年

Carol Li ? 2020-04-07 10:51 ? 次閱讀

近日消息,SK海力士正式宣布,將在年底前量產并提供業界頻率達到8400MHz的DDR5存儲器,單顆最大密度64Gb,并且會帶有ECC錯誤修正的功能,工作電壓僅1.1V。

根據SK海力士公布的資料顯示,DDR5存儲器的工作頻率從3200MHz到8400MHz,這個范圍超越現在DDR4存儲器主頻在1600MHz到3200MHz的范圍。

雖然,部分廠商推出的DDR4存儲器超頻版主頻能到5000MHz,不過,頻率超過4000MHz的DDR4是相當稀少的。至于容量方面,現在DDR4單顆最大是16Gb,而DDR5則有8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb這5種不同的大小。

現在的DDR4存儲器要實達到ECC錯誤修正的功能,必須增加額外的芯片,但DDR5就不需要,ECC錯誤修正的功能已經整合到每顆DRAM里面,這是之前每一代DDR存儲器都不曾做到的。而這項功能的導入,這有望降低存儲器的總體成本。

另外DFE決策反饋等化功能也被整合到DRAM內部,這可以消除高頻存儲器工作時的雜訊,這將大大提高每個引腳的速度。

另外,DDR5存儲器共有32個儲存區,劃分成8個儲存區組,而DDR4存儲器則有16個儲存區和4個儲存區組,這使得DDR5存儲器的頻寬和訪問性能翻了一倍,可提供更多的頻寬。至于,DDR5的VDD和VPP電壓從DDR4時代的1.2V/2.5V,降低到1.1V/1.8V,使得整體功耗下降了20%,再加上DFE的降噪,可進一步降低高頻下的發熱量。

SK海力士指出,2020年底前DDR5存儲器將會量產,初期以生產10納米級的16Gb為主,單條存儲器容量最大達32GB,而未來還會有更高的容量出現。

美光出樣DDR5內存:1Znm工藝、性能提升85%

2020年1月7日,美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內存,基于1Znm工藝,性能提升了85%。

與DDR4內存相比,DDR5標準性能更強,功耗更低,起步頻率至少4800MHz,最高6400MHz。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預取的BankGroup數量以改善性能等。

美光現在出樣的DDR5內存使用了最新的1Znm工藝,大概是12-14nm節點之間,ECCDIMM規格,頻率DDR5-4800,比現在的DDR4-3200內存性能提升了87%左右,不過距離DDR5-6400還有點距離,后期還有挖掘的空間。

對DDR5內存來說,平臺的支持才是最大的問題,目前還沒有正式支持DDR5內存的平臺,AMD預計會在2021年的Zen4處理器上更換插槽,支持DDR5內存,而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內存支持,官方路線圖顯示2021年的7nm工藝SapphireRapids處理器才會上DDR5,而且是首發服務器產品,消費級的估計還要再等等。

電子發燒友綜合報道,參考自TechNews科技新報、快科技,轉載請注明以上來源和出處。

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